邓思邈 发自 凹非寺

一份英伟达供应链名单，意外震动了半导体圈。

在清一色欧美日老牌厂商中，低调出现了一个陌生的中国名字：英诺赛科。

△图源自英伟达

消息传开，股价当天一度暴涨63.64%。更让人意想不到的是，九年前它还只是珠海一家“三无小作坊”——

无成熟技术、无量产经验、无客户基础。

创始人骆薇薇刚从NASA辞职回国，身边只跟着一个愿意赌命的员工。

如今，7年内狂吸60亿元资金，宁德时代曾毓群亲自砸下2亿，OPPO、小米、vivo、荣耀、联想、速腾、禾赛……各个领域巨头排队买单。

2024年12月到港股敲钟。截至发稿，最新市值已经冲到了722.68亿港元。

从珠海起步到英伟达中国独家供应商，这家公司凭什么逆天改命？

答案就藏在一块比指甲盖还小的芯片里。

国产氮化镓第一股，怎么炼成的？

在第三代半导体这条艰险冷门的赛道上，有一家公司硬生生闯出了一条路。

英诺赛科最早发轫于美国特拉华州，是骆薇薇的第三次创业项目。

2015年8月，来自珠海的伯乐专程飞到纽约见骆薇薇。骆说她的技术专利将给半导体领域带来革命性突破，当场就得到表态：全力支持项目落户珠海。

于是紧接着，骆薇薇抛下在美国优渥的生活——包括NASA的铁饭碗、郊区带花园的房子、尚且只有12岁的儿子，义无反顾回国创业。

四个月后，英诺赛科在珠海市高新区正式成立。

这个决定在当时并不被看好，朋友在电话里急得跳脚：

“疯了吗？英飞凌（全球领先的半导体公司，前身是德国西门子半导体事业部）都不敢碰的硬骨头，你一个人带着团队回国啃？”

她只是淡淡地回复：

氮化镓是第三代半导体的未来，中国不能再错过这个机会。

骆薇薇回国面临的开局简直是地狱级难度。

2015年，国内第三代半导体材料尚处于一片空白，骆薇薇切入的氮化镓赛道更是一片荒芜——量产能力薄弱、技术代差明显、市场验证不足。直到2016年国内才迎来第三代半导体发展元年。

正因如此，她必须在一开始就拿出与众不同的打法。公司刚成立之初，骆薇薇在大方向上做出了两大抉择：

第一个：IDM模式。

在传统半导体领域，此前几十年的主流是将设计与制造分离的无晶圆厂模式（Fabless），其创业门槛和启动投入较低，就像餐厅只管设计菜谱，把做菜交给别人——AMD、高通、英伟达、华为海思都是这么干的。

可骆薇薇偏要把芯片设计、制造、封装测试到销售全流程攥在手里，因为“这样才有定价权”，典型案例可以参照英特尔、三星、德州仪器、英飞凌、瑞萨电子等。

△图源自英诺赛科招股书

第二个：8英寸工艺。

业内当时普遍采用6英寸氮化镓技术，而骆薇薇直接初生牛犊不怕虎，一上来就要攻克8英寸。

道理其实很简单：更大尺寸的晶圆能够更有效地分摊固定成本，从而在单位成本上提供更强大的性能。

但问题是，晶圆尺寸每次跨越，难度都呈指数级增长，从6英寸到8英寸是一个指数级难度，从8英寸到12英寸同样如此。

所以创业头两年，骆薇薇真的是在沙漠里找水。

实验室设备不够，就根据需求倒推研发；欧美卡脖子不卖关键设备，就去二手市场淘旧机器；年轻工程师没经验，就天天泡车间手把手带。

好在，骆薇薇并非孤身一人前行。

天时，有政策支持。就在她回国创业前，2014年9月，千亿规模的国家集成电路产业基金挂牌成立，这笔热钱为中国半导体行业注入了强心剂，后来据说给了英诺赛科20亿元。

地利。珠海基地的产能渐渐跟不上了，2017年骆薇薇果断将总部迁到苏州吴江汾湖高新区。

苏州本身就是集成电路产业集聚地，加之地处长三角，紧靠上海和杭州，英诺赛科瞬间坐拥完备的上下游产业链。

人和。除骆薇薇，创始团队还包括原韩国LG公司北美区域总裁孙在亨（即Jay Hyung Son，本科毕业于加州大学伯克利分校工程系）、德国国家工程院院士Eicke Weber教授等。

现任CEO吴金刚博士更是履历惊人，本科毕业于华中科大化学系，1994年获中科院兰州化学物理研究所物理化学博士学位，曾就职于日本通产省工业技术研究院，2001年加入中芯国际，被列为中芯国际“技术五虎”之一。

△图左为吴金刚，右为骆薇薇

英诺赛科苏州工厂2018年6月动工，2021年6月5日开始大规模量产，成为全球第一家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业。

业界普遍认为这个跨越需要10年以上，可英诺赛科只用了不到6年。

前期的投入也换来了公司业绩的翻倍成长。2021年至2023年，营收一路从6822万元涨至1.36亿元、5.93亿元。

市场地位也随之迅速确立。据招股书，2023年，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体企业中排名第一，市占率为42.4%。截至2024年6月30日，月产能1.25万片晶圆。

△禾赛的激光雷达里就用到了氮化镓芯片

根据TrendForce的数据，在2024年全球氮化镓功率器件市场中，英诺赛科占据29.9%的份额，领先于纳微半导体（16.5%）、EPC（12.4%）、英飞凌（10.3%）和Power Integrations（9.8%）。

2024年12月30日，英诺赛科登陆港交所，成为“中国氮化镓半导体第一股”。

据甲子苏州报道，截至今年7月，英诺赛科芯片出货量已超过10亿颗，仅去年一年出货6.6亿颗，相当于前三年总和。

英诺赛科从零起步，打破了国际半导体巨头在氮化镓功率芯片领域对全球市场的垄断。

然而，做到“第一股”还只是开始。让英诺赛科把名字写进英伟达供应链的契机，来自AI大潮带来的用电难题。

老黄GPU算力暴涨背后的“命门”

有一个数字让硅谷工程师集体头疼：12500安培。

这意味着什么？在数据中心里，用传统48V系统给一个600kW的AI机架供电，电缆会粗得像消防水管，母线则重得像钢梁。

所以当ChatGPT引爆AI热潮后，英伟达发现自己面临一个尴尬现实——GPU性能翻了1000倍，可电力系统却还停留在“马车时代”。

传统数据中心机架功率尚处在千瓦级，未来单机架直接可以飙升到兆瓦级（1兆瓦=1000千瓦）。

因此英伟达在今年5月宣布：从2027年开始全面转向800V直流电源架构。

△图源自英伟达

这个决定背后的逻辑是——采用更高电压可降低电流需求，进而减少电阻损耗，有效提高输电效率。

提高电压就像把水引到更高处流动，用同样粗的管子，可以灌更多的水。

英伟达官方数据显示，从415V交流电切换至800V直流电，可在导体截面积不变的情况下实现输电能力提升85%，铜材需求减少45%，端到端效率提升5%，维护成本降低70%。

△英伟达800V直流架构

就在此时，一种过去更多出现在手机充电头里的材料，意外成为解决方案——氮化镓。

氮化镓属于第三代半导体材料，欧美业界称之为“宽禁带材料”。

△图源自英诺赛科招股书

第一代以硅（Si）为主，目前在半导体市场仍占九成以上份额；第二代是砷化镓（GaAs），主攻高频应用；第三代包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），专门应对高温、高压、高频的极端工况。

1998年Cree开发出首个硅基氮化镓晶体管，2018年正式进入消费市场——当时安克率先推出首款氮化镓充电器。消费者发现充电器体积缩小一半，速度反而更快。

氮化镓在若干方面的性能比硅显著提高，具有带隙宽、电子迁移率高、开关频率高、导通电阻低、耐高压及耐高温等综合优势。

更宽的带隙使氮化镓能够在更高电压下运作，能显著减少热散失并提高功率效率。

更关键的是氮化镓的高频能力。它能显著缩小电感、电容等元器件体积，为GPU释放出更多主板空间。

在AI时代，每平方毫米主板空间都是黄金。氮化镓器件不仅能提高电力转换效率，也直接帮厂商降低成本。

一般的数据中心需要处理多级电力转换：高压交流电转中压直流电，再转低压直流电供GPU使用。每级转换都有损耗，都需要功率器件。

所以对供应商要求极高：不仅要有过硬的技术，还要具备规模化产能和可持续供货能力。

不过氮化镓有个要命缺点：贵。

其工艺复杂，对温度和压力有严格的要求，良率低，价格是硅的3-5倍。2023年，全球氮化镓功率半导体市场规模只有18亿元，渗透率为0.5%，占全球功率半导体分立器件市场的1.4%。

但在数据中心这个细分市场，需求正在爆发。

据招股书，2019年，数据中心领域的氮化镓市场规模显示还不到1000万元；到2023年，已达7000万元。

数据的增长说明：AI正逼着电力系统换代，算力的较量，不再只是GPU性能的比拼。

英伟达重新设计整个电力堆栈，英诺赛科则提供关键器件，两家公司实际上在共同定义AI时代的游戏规则。

随着2027年英伟达Kyber机架系统投产，这一合作后续将进入规模化阶段。

△图源自英伟达

对英诺赛科而言，这不仅是一次技术突破，更是中国半导体在细分领域实现“精准卡位”的典型路径。

可为什么这项产业机遇，偏偏落到了骆薇薇身上？

数学博士，意外走进化工事故

骆薇薇，1970年出生的华人，祖籍据说是浙江诸暨。

如果用三个关键词来总结她，大概是：低调、果敢、坚韧。

她的故事常常被称作“跨界传奇”，但其实，每一次选择背后都藏着必然的逻辑。

她的博士是在新西兰梅西大学完成的，学的是应用数学。导师是国际知名的自燃问题专家G.C. Wake。

△骆薇薇的博导G.C. Wake

恰恰是这门基础学科，将她带进了真实世界的一场事故。

1998年12月30日，“阿空加瓜号”货轮爆炸，334桶中国制造的次氯酸钙起火，数名船员受伤。

事故原因成谜。那时还是学生的骆薇薇，跟着博导接下案子。他们用数学建模最终证明：化学品的制造工艺缺陷才是罪魁祸首，与航行过程中的储存方式无关。最终双方和解，赔偿金额接近6000万美元。

她后来把这次经历写进论文——《热失火临界条件的数值判定》。

这段研究不仅让她对危险材料的化学动力学有了全新的理解，还让她意识到——自己不想只做纸面上的学问，她想把公式搬进现实，于是走进了NASA（美国宇航局）。

在这一待就是十五年，从项目经理做到首席科学家，专注于研究火箭燃料燃烧。

多方公开资料验证得出，她当时在NASA下属的马歇尔太空飞行中心工作，这里是美国火箭推进系统的“大本营”。

其实她本可以在NASA安稳待到退休，但2015年的中国，正处于第三代半导体产业化前夜，她敏锐意识到，这是一次不能错过的机会。

决定离开美国时，最难舍难分的，其实是和儿子。“妈妈要去做一件很重要的事，可能会错过你的毕业典礼。”

电话那头儿子沉默了很久，才轻轻说：“你想做，就去吧。”挂下电话，骆薇薇在办公室里哭了半个小时。

即使研发费用依然迟迟没有着落，即使所有人都不看好她这次创业。

但她心里有自己的逻辑：

经验不该成为发展的瓶颈。如果觉得可行，你所有的感官和智慧都会为之敞开。

NASA的十五年时光也确实训练了她在“无人区”探索的勇气——先判断可行性，再一步步完成。

在一向由男性把持的半导体圈子里，她的身影少见，却极有分量。

早在AI尚未引爆之际，在2021年的一场行业论坛上，她就当着一众大佬的面断言：

AI时代一来，电力需求会像潮水般涨起来。

2022年在珠海工厂接待客户，她穿着平底鞋、挽起袖子就下楼了。客户愣了半天，以为她是讲解员。她笑着递上名片：“我是骆薇薇，英诺赛科的。”

有人打趣说，她一点都不像个老板。她倒觉得挺好，说：“我本来就是给团队服务的”。

车规级芯片的认证是最磨人的。AEC-Q101测试（指国际车规级半导体器件可靠性测试标准）要在-40℃~125℃的环境里连续运行上千个小时，稍有瑕疵就得全部重来。

工程师们轮班守实验室，骆薇薇就干脆在办公室铺上行军床。

终于，当100V车规级器件成功通过认证，她忍不住立刻给比亚迪采购发了一条消息：“中国车，该用中国芯了。”

在谈合作时，她还特意提醒团队：“别只说技术参数，多聊聊用我们芯片能带来的变化，比如让充电桩快三倍。”

既能在车间里和工程师们掰技术细节，遇到困难时又总是不服输，常常说“相信就能做到”。或许就是这股劲儿，让不少人心甘情愿放弃高薪加入团队。

在苏州，骆薇薇建了氮化镓创新中心，拉着小米、联想等下游企业一起攻关。她说：

单打独斗成不了气候，要让整个产业链都强起来。

如今，从LED照明驱动，到消费电子、激光雷达、数据中心，再到新能源汽车、机器人，英诺赛科的芯片已经渗透进100多个细分领域，客户数量拓宽到140名。

△图源自英诺赛科招股书

国内市场逐渐打开后，她开始思考另一个问题：如果要和国际巨头真正同台竞争，就必须走出去。

很快，英诺赛科在硅谷、首尔、比利时设立了子公司，海外收入也从2021年的18.1万元，飙升至2023年的5795.3万元。

去年年底，港交所的钟声响起，她在致辞里说：

“所谓奇迹，不过是把不可能拆成每天多走一步。”

最新的2025年规划会上，她指着“7万片/月”的产能目标，说：“我们要做中国的台积电、英伟达。不是规模一样大，而是要在技术上有话语权。”

这就是为什么英诺赛科坚持IDM模式，不只是代工，而是要掌握核心技术，制定行业标准。

当年那个用数学破解化学谜题的女孩，大概想不到，几十年后会凭一块氮化镓芯片，让中国半导体产业在全球舞台上拥有发言权。

她的成功不是偶然：数学磨练了她的逻辑，NASA锤炼了她的胆识。两者结合，让她敢在所有人观望时率先出手。

骆薇薇的故事证明，只要找对方向，持续投入，中国企业同样能在关键节点上站上牌桌，占据一席之地。

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